院士出生地


    屠海令院士,1946年10月5日出生於北京市西城區。


    西城區位於北京城區中軸線西側,是首都北京的中心城區之一。


    東接東城區,南鄰豐台區,西、北兩麵與海澱區接壤,東北隅連朝陽區。


    -西城區曆史悠久,西周時期屬薊國,春秋戰國屬燕國,為燕都薊城之北郊。


    秦漢至南北朝時期,先後屬廣陽郡、幽州等下轄的薊縣等。


    隋朝屬幽州薊縣,唐朝曾屬範陽郡薊縣等。


    遼代屬南京道析津府宛平縣,金代屬中都路大興府宛平縣。


    元代大都城建成後,西二環以東、西長安街以北被圈入城內,為大都城西半部。


    明代屬北平府宛平縣,永樂遷都後屬順天府宛平縣。


    清代屬正黃、正紅、鑲紅、鑲藍四旗分轄,以及中城、西城、北城等。


    1958年西單、西四2區合並為西城區,2010年,西城區、宣武區合並,沿用西城區至今。


    西城區人文底蘊深厚,這裏有北海、景山、恭王府等國家級文物保護單位,以及廣濟寺、白雲觀等曆史悠久的寺廟,是北京市的文物大區之一。


    西城區曆史文化街區豐富,區內有什刹海、大柵欄等曆史文化街區,保留了大量明清時期的建築風貌和胡同肌理,煙袋斜街等胡同充滿市井氣息。


    西城區非物質文化遺產多樣,這裏有廠甸廟會、北京評書等國家級非物質文化遺產保護項目,體現了老北京的民俗文化特色。


    作為元、明、清三代都城的西半部,西城區曾是皇家活動的重要區域,西苑(中南海及北海)、月壇等皇家禁苑與祭祀場所眾多,同時又有豐富的民俗文化,如傳統小吃、手工藝品等。


    西城區人才輩出,魯迅曾在西城區生活,留下了許多寶貴的文學作品和思想財富。


    梅蘭芳、程硯秋等京劇大師也在此活動,推動了京劇藝術的發展和傳承。


    出生地解碼


    屠海令院士出生於北京市西城區,這片土地,對他後來成為院士產生了深遠影響。


    西城區擁有眾多頂尖的中小學和高等院校,學術氛圍濃厚。


    屠海令院士在成長過程中,可能受益於當地優質的教育資源,接觸到了先進的知識體係和教育理念,為其打下了堅實的學術基礎。


    這些豐富的教育資源還提供了大量的學術交流和實踐機會,有助於培養他的創新思維和實踐能力。


    西城區作為曆史文化名城的核心區域,承載著豐富的文化遺產和曆史底蘊。


    悠久的曆史和燦爛的文化培養了屠海令院士對知識的尊重和對文化的傳承意識,激發了他對科學研究的熱愛和追求。


    這種文化底蘊還賦予了他開闊的視野和深厚的人文素養,使他在科研道路上能夠從更廣闊的視角去思考問題,不斷探索創新。


    西城區作為首都核心區,匯聚了來自不同地區、不同背景的人才,形成了多元包容的社會環境。


    在這樣的環境中成長,屠海令院士能夠接觸到各種不同的思想和觀念,培養了他的包容精神和團隊合作意識。


    這種多元的社會環境還激發了他的競爭意識和進取精神,促使他不斷努力提升自己,在科研領域取得卓越成就。


    院士求學之路


    1964年9月—1969年8月,屠海令就讀於天津大學精儀係自動化專業,畢業並獲得學士學位。


    1978年9月—1979年12月,屠海令就讀於北京有色金屬研究總院半導體材料專業研究生。


    1979年12月—1983年12月,屠海令就讀於英國巴斯大學(university of bath)半導體材料物理專業,畢業並獲得博士學位。


    求學之路解碼


    屠海令院士的求學經曆,涵蓋了多個關鍵階段,每個階段都為他日後成為院士奠定了堅實基礎。


    屠海令在天津大學精儀係自動化專業的學習,為他提供了係統而紮實的工科基礎知識。


    自動化專業涉及電子技術、自動控製原理等多領域知識,使他具備了跨學科的思維能力和解決複雜工程問題的基本素養。


    天津大學嚴謹的治學風格和學術氛圍,培養了屠海令院士對待知識和研究的認真態度。


    這種態度貫穿他的科研生涯,促使他在後續研究中注重細節、追求精確。


    屠海令進入北京有色金屬研究總院攻讀半導體材料專業研究生,這讓他聚焦於半導體材料這一具有戰略意義的科研領域,為其後續在該領域的深入研究奠定了方向基礎。


    研究總院擁有豐富的科研設備和前沿的研究課題,使他能夠接觸到國內半導體材料研究的最新動態和技術,為進一步深造積累了寶貴的知識和經驗。


    屠海令在英國巴斯大學深造期間,他置身於國際學術前沿環境,與全球優秀學者交流合作,了解到半導體材料物理領域的國際前沿研究方向和方法,拓寬了他的學術視野。


    巴斯大學先進的科研設施和優秀的導師團隊,讓他有機會參與到高水平的科研項目中,學習到先進的實驗技術和理論分析方法,提升了他的科研能力。


    國外開放的學術氛圍鼓勵創新和獨立思考,促使屠海令院士在研究中敢於突破傳統思維的束縛,提出獨特的見解和創新的研究思路。


    院士從業之路


    1970年8月—1971年8月,屠海令擔任天津第三半導體器件廠試製組技術員。


    1971年8月—1978年9月,屠海令擔任天津半導體技術研究所矽研究室組長、室主任。


    1984年3月起,屠海令先後擔任北京有色金屬研究總院矽半導體材料研究室組長、室主任、總院副院長。


    1994年11月—1995年7月,屠海令擔任美國北卡羅萊納州立大學(north carolina state university)半導體材料專業高級訪問學者。


    1996年,屠海令擔任中韓新材料合作中心主任。


    1996年7月—2009年4月,屠海令擔任北京有色金屬研究總院院長。


    1999年2月—2009年5月,屠海令擔任有研半導體材料股份有限公司董事長。


    2006年4月,屠海令擔任北京有色金屬研究總院科技委員會主任。


    2009年5月—2018年,屠海令擔任北京有色金屬研究總院名譽院長。


    2007年12月,屠海令當選為中國工程院院士。


    從業之路解碼


    屠海令院士豐富且紮實的從業經曆,對他後來成為院士產生了多方麵的深遠影響。


    屠海令在天津第三半導體器件廠和天津半導體技術研究所工作期間,他從技術員做起,深入參與試製和研究工作,積累了大量半導體器件製造和研究的實際操作經驗,為後續理論與實踐結合奠定基礎。


    屠海令擔任矽研究室組長、室主任,他開始領導團隊開展工作,鍛煉了組織協調和團隊管理能力,為日後領導大型科研項目和機構奠定了基礎。


    屠海令在北京有色金屬研究總院擔任矽半導體材料研究室組長、室主任等職務,使他能夠專注於半導體材料領域的前沿研究,不斷深化科研能力,取得一係列重要科研成果,提升了他在行業內的影響力。


    屠海令擔任總院副院長、院長等職務,他負責科研機構的整體管理和發展,這讓他在科研管理、資源調配、戰略規劃等方麵積累了豐富經驗,能夠從宏觀層麵推動科研工作的開展。


    屠海令在美國北卡羅萊納州立大學擔任高級訪問學者,使他能夠深入了解國際半導體材料研究的最新動態和前沿技術,拓寬國際視野,為將國際先進理念引入國內研究提供了契機。


    屠海令擔任中韓新材料合作中心主任,他推動了中韓在新材料領域的合作與交流,提升了他在國際合作方麵的能力和影響力,也為國內科研發展引入了外部資源和合作機會。


    屠海令擔任有研半導體材料股份有限公司董事長,他積極推動科研成果的產業化應用,將科研與市場需求緊密結合,不僅為企業創造了經濟效益,也提升了我國半導體材料的產業競爭力,體現了他將科研成果轉化為實際生產力的能力。


    屠海令擔任北京有色金屬研究總院科技委員會主任,他能夠從更高層麵把控科研方向,指導和推動全院的科研工作,為培養科研人才和打造創新團隊發揮了重要作用。


    屠海令院士在不同階段的從業經曆,使他在科研能力、團隊管理、國際合作、成果轉化等方麵不斷提升和完善,這些都為他當選中國工程院院士奠定了堅實基礎。


    院士科研之路


    屠海令院士是我國著名的電子材料專家,長期從事矽、化合物半導體,稀土半導體,矽基半導體等材料的研究工作。


    屠海令院士主持研發的“2-3μm ic用φ5英寸矽單晶(片)”獲得國家科學技術進步獎二等獎。


    他主持研發成功的“6英寸重摻砷矽單晶及拋光片”獲得北京市科學技術獎一等獎。


    他主持研發成功的“重摻砷矽單晶及拋光片”獲得國家科學技術進步獎二等獎。


    這些成果提升了我國矽單晶材料的質量和性能,滿足了集成電路等領域的需求。


    屠海令院士在砷化镓等化合物半導體研究方麵也有突出貢獻。


    他主持的“半絕緣砷化镓單晶”獲得中國有色金屬工業科學技術獎一等獎。


    該技術推動了我國化合物半導體材料的發展,為相關光電器件和高頻器件的研製提供了基礎。


    屠海令院士積極推動寬禁帶半導體材料如碳化矽(sic)和氮化镓(gan)的研發與應用,強調要做好頂層設計,加強全產業鏈和產業環境建設。


    屠海令院士推動多方協同發展,以搶占下一代功率電子產業市場,促進新一代信息技術等領域的快速發展。


    根據2022年8月中國工程院網站顯示,屠海令先後發表論文280多篇,出版著作9部。


    如《新材料產業培育與發展研究報告》《新材料產業發展重大行動計劃研究》等,為相關領域的研究和發展提供了理論支持和指導。


    最後,屠海令院士領導並參加多項半導體材料國家工程及專項項目,形成了一係列具有自主知識產權的工程技術和規模化生產能力,推動了我國半導體材料產業的發展。


    科研之路解碼


    屠海令院士的研究成果,在他當選院士過程中發揮了關鍵作用。


    在半導體材料領域,他在矽單晶及拋光片、化合物半導體、寬禁帶半導體材料等方麵成果豐碩。


    這些成果提升了我國半導體材料的質量和性能,滿足了集成電路等領域需求,推動了相關產業發展,展示出卓越科研能力。


    在學術著作與論文方麵,他發表論文280多篇,出版著作9部,為行業提供了理論支持和指導,彰顯了其學術影響力。


    在科研項目與產業化方麵,他領導並參加多項國家工程及專項項目,形成自主知識產權和規模化生產能力,推動產業發展,體現出強大的項目領導和產業推動能力。


    以上這些成果綜合起來,使他在行業內獲得高度認可,最終成功當選為中國工程院院士。


    後記


    屠海令院士出生於北京西城區,該區優質教育資源與深厚文化底蘊為他提供了優質的啟蒙教育。


    屠海令院士在天津大學本科打下工科基礎,培養了他的嚴謹學風;他在國內讀研明確了專業方向;他在英國巴斯大學讀博,拓寬了他的國際視野。


    屠海令院士早期的基層實踐,為他積累了豐富的實踐經驗;他在總院工作積累了豐富的管理經驗。


    科研上,屠海令院士在半導體材料多領域成果斐然,論文著作豐富。


    以上這些因素相互交織,共同作用,最終使他成功當選為中國工程院院士。


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